技术参数
品牌: | ON |
型号: | FQD18N20V2TM |
批号: | 19+ |
封装: | TO-252 |
数量: | 40 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
Id-连续漏极电流: | 15 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 140 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 2.39 mm |
长度: | 6.73 mm |
系列: | FQD18N20V2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
正向跨导 - 最小值: | 11 S |
下降时间: | 62 ns |
上升时间: | 133 ns |
典型关闭延迟时间: | 38 ns |
典型接通延迟时间: | 16 ns |
单位重量: | 260.370 mg |
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