技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTJS3157NT1G |
批号: | 10+ |
封装: | SOT363 |
数量: | 200 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-88-6 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 60 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 400 mV |
Qg-栅极电荷: | 6.9 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
系列: | NTJS3157N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
类型: | MOSFET |
宽度: | 1.25 mm |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 9 S |
下降时间: | 11 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 12 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 21 ns |
典型接通延迟时间: | 6 ns |
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