产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTD5802NT4G批号:13+封装:TO-252数量:100QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:101ARdsOn-漏源导通电阻:4
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTD5802NT4G |
批号: | 13+ |
封装: | TO-252 |
数量: | 100 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 101 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.4 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
Qg-栅极电荷: | 75 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 93.75 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 2.38 mm |
长度: | 6.73 mm |
系列: | NTD5802N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
正向跨导 - 最小值: | 16.8 S |
下降时间: | 8.5 ns |
上升时间: | 52 ns |
典型关闭延迟时间: | 39 ns |
典型接通延迟时间: | 14 ns |
单位重量: | 4 g |
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