产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTB25P06T4G批号:12+封装:TO-263数量:50QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:P通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):27.5A(Ta)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTB25P06T4G |
批号: | 12+ |
封装: | TO-263 |
数量: | 50 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 27.5A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 82 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
Vgs(值): | ±15V |
功率耗散(值): | 120W(Tj) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 50 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1680 pF @ 25 V |
基本产品编号: | NTB25 |
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