技术参数
品牌: | ON |
型号: | FCPF165N65S3L1 |
批号: | 10+ |
封装: | TO-220F |
数量: | 30 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220F-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 19 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 140 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 35 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 35 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | FCPF165N65S3L1 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 12 S |
下降时间: | 16 ns |
上升时间: | 21 ns |
典型关闭延迟时间: | 55 ns |
典型接通延迟时间: | 18 ns |
单位重量: | 2.270 g |
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