产品简介
技术参数品牌:ON型号:2N7002WT1G批号:10+封装:SC-70数量:70QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):310mA(Ta)驱动电压(RdsOn
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技术参数
品牌: | ON |
型号: | 2N7002WT1G |
批号: | 10+ |
封装: | SC-70 |
数量: | 70 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 310mA(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.5V @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | 280mW(Tj) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-70-3(SOT323) |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 0.7 nC @ 4.5 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 24.5 pF @ 20 V |
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