产品简介
技术参数品牌:ON型号:NDUL03N150CG批号:20+封装:TO-3PL-3L数量:9240QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-3PF-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:1
详情介绍
![](https://img79.qqgongying.com/5eceadd4559dcfd2e7ba249f0bf60b7cc60b62c46e8e47b31ebb33282dcf1c581913182b1c05131a.jpg)
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NDUL03N150CG |
批号: | 20+ |
封装: | TO-3PL-3L |
数量: | 9240 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-3PF-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 1.5 kV |
Id-连续漏极电流: | 2.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
Qg-栅极电荷: | 34 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3 W |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Tube |
配置: | Single |
系列: | NDUL03N150C |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | ON Semiconductor |
下降时间: | 47 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 24 ns |
工厂包装数量: | 30 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 140 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
单位重量: | 7 g |
- 上一篇: TI 转换器,电平移位器 SN74LVC4245APWR
- 下一篇: TI 运算放大器及比较器 TLC2272IDR 运
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。