产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTHD3101FT1G批号:10+封装:SOT23-8数量:200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:ChipFET-8通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:4
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTHD3101FT1G |
批号: | 10+ |
封装: | SOT23-8 |
数量: | 200 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | ChipFET-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 4.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 64 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.1 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 1.05 mm |
长度: | 3.05 mm |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | NTHD3101F |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
类型: | MOSFET |
宽度: | 1.65 mm |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 8 S |
下降时间: | 12.4 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 11.7 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 16 ns |
典型接通延迟时间: | 5.8 ns |
单位重量: | 85 mg |
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