瑞典Obducat 纳米压印系统
Eitre ™ 3 / 6 / 8 - 用于研发的纳米压印系统
Eitre™ 纳米压印系统提供了灵活的并且 节约的压印解决方案。这一系统非常适合于研发方面的使用，可以获得微米和纳米
级的图案复制。Eitre ™ 纳米压印系统具有完整的压印方法，可以使用热压印、UV 压印以及热和 UV 同时压印（STU ™ ）。
Sindre™ - 用于生产的纳米压印系统
Sindre™ 400 / 600 / 800 型纳米压印系统被设计成自动化的大规模生产机型。无手动操作和复杂的盒盒之间操作步骤保证了 节约和污染控制，而高通量生产使拥有者能够进行有效花费而不超出预算。这些纳米压印系统的标准配置可以达到每小时 30 -60 晶片的产量。 Sindre™ 60 纳米压印系统被设计成半自动化的生产模式。这种具3有标准配置的纳米压印系统可以达到每小时 12 个压印基底的产量。Sindre™ 系列的纳米压印系统同时配备了三种技术： Soft Press™ 、IPS™ 、STU™
扫描电镜（MX 2600）
Obducat 公司提供了用于纳米测量的扫描电镜
E-Beam Lithography Systems
Obducat 公司提供了能够在旋转基底上获得 10 nm 左右分辨率的电子束刻蚀（Electron Beam Recorders，EBR）。EBR 可以产生一个直径 2 nm 左右高斯分布的电子束斑，它与高速电子束熄灭装置、高 度线形平台和旋转轴一起可以在很短的曝光时间内就可能使基底上刻画出一些图案如螺旋或同心圆等。Obducat 公司的 EBR 支持光介质或磁性介质生产厂家的大
多数已存在或准备开发的存储形式。译码器提供了 的灵活性，可按照说明书来调节任意一种介质形式的设计。
目前 Obducat 公司提供了两种配置的 EBR：EBR - 30kV TFE 和 EBR - 50kV TFE，既可以适合工业化生产也可以满足科研工作的需要。这两种配置的 EBR 系统均被设计成可以操纵直径达 8 英寸的基底。系统也同时具有整合的动力自动对焦系统，能够在非平面基底上进行高分辨曝光。
应用领域：光学存储介质；磁性存储介质
EBR - 30kV TFE 主要技术参数：
运行距离：100 mm
电子束斑点：～ 8 nm
对焦范围：＞ 15μm
EBR - 50kVTFE 主要技术参数：
运行距离：100 mm
电子束斑点：～ 2 nm
对焦范围：＞ 20 μm
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