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半导体制造商主要用抛光Si片（PW）和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片，它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历，外延片是由Si片制造商生产并自用，在IC中用量不大，它需要在单晶Si片表面上沉积一薄的单晶Si层。一般外延层的厚度为2～20μm，而衬底Si厚度为610μm（150mm直径片和725μm（200mm片）。外延沉积既可（同时）一次加工多片，也可加工单片。

半导体材料的分类：常见的半导体材料可分为元素半导体和化合物半导体。
一：元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和
二：有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。

半导体制作工艺流程：
1；首先要从供应商那里拿到晶圆（也叫wafer）是一片一片的，半径为100mm（8寸厂）或者是150mm（12寸厂）的晶圆。我们把它称作衬底片。
2；制作Well和反型层，也就是通常说的阱，well是通过离子植入（Ion Implantation，简称imp）的方式进入到衬底上的，如果要制作NMOS，需要植入P型well，如果制作PMOS，需要植入N型well，离子植入的机器通过将需要植入的P型元素打入到衬底中的特定深度，然后再在炉管中高温加热，让这些离子活化并且向周围扩散。well的制作这样就完成了。