技术参数
| 品牌： | AOS |
| 型号： | AOD442 |
| 批号： | 2019 |
| 封装： | TO-252 |
| 数量： | 2100000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 38A TO-252 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-60V-7A（Ta）-37A（Tc）-2.1W（Ta）-60W（Tc）-TO-252-（D-Pak） |
| 数据列表： | AOD442; |
| 标准包装： | TO252 (DPAK) Pkg Drawing; |
| 包装： | 2,500 |
| 零件状态： | 标准卷带 |
| 类别： | 不適用於新設計 |
| 产品族： | 分立半导体产品 |
| 系列： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 其它名称： | - |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 7A（Ta），37A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 20 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 68nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 2300pF @ 30V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2.1W（Ta），60W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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