产品简介
技术参数品牌:TI(德州仪器)型号:CSD17308Q3封装:SON8批次:22+数量:50000制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSON-CLIP-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:50ARdsOn-漏源导通电阻:10
详情介绍
技术参数
品牌: | TI(德州仪器) |
型号: | CSD17308Q3 |
封装: | SON8 |
批次: | 22+ |
数量: | 50000 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSON-CLIP-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻: | mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 900 mV |
Qg-栅极电荷: | nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 28 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1 mm |
长度: | mm |
系列: | CSD17308Q3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel Power MOSFET |
宽度: | mm |
下降时间: | ns |
上升时间: | ns |
典型关闭延迟时间: | ns |
典型接通延迟时间: | ns |
单位重量: | 41 mg |
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