技术参数
品牌: | Infineon(英飞凌) |
型号: | IPA65R650CE |
封装: | TO-220F(TO-220IS) |
批次: | 21+ |
数量: | 2572 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220FP-3 |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
高度: | 16.15 mm |
长度: | 10.65 mm |
宽度: | 4.85 mm |
单位重量: | 2 g |
深圳市芯升源电子科技有限公司
免费会员
Product Display
技术参数品牌:Infineon(英飞凌)型号:IPA65R650CE封装:TO-220F(TO-220IS)批次:21+数量:2572制造商:Infineon产品种类:MOSFET安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220FP-3Vds-漏源极击穿电压:650V高度:16
品牌: | Infineon(英飞凌) |
型号: | IPA65R650CE |
封装: | TO-220F(TO-220IS) |
批次: | 21+ |
数量: | 2572 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220FP-3 |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
高度: | 16.15 mm |
长度: | 10.65 mm |
宽度: | 4.85 mm |
单位重量: | 2 g |
请选择省份
请输入账号
请输入密码
请输验证码
全球供应网 设计制作,未经允许翻录必究 .Copyright(C) https://www.qqgongying.com,All rights reserved.
以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,全球供应网对此不承担任何保证责任。
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。