技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MJ11032G |
批次: | 22+ |
数量: | 240000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 达林顿晶体管 |
RoHS: | 是 |
配置: | Single |
晶体管极性: | NPN |
集电极—发射极电压 VCEO: | 120 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 120 V |
直流电集电极电流: | 50 A |
Pd-功率耗散: | 300 W |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-204-2 (TO-3) |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | MJ11032 |
直流电流增益 hFE 值: | 18000 |
高度: | 8.51 mm |
长度: | 38.86 mm |
宽度: | 26.67 mm |
商标: | ON Semiconductor |
集电极连续电流: | 50 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 1000 |
产品类型: | Darlington Transistors |
工厂包装数量: | 100 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 13.835 g |
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