在使用IG的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IG就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IG模块时，应十分重视IG模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，在散热器与IG模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IG模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IG模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IG模块工作 。

infineon英飞凌IG模块FF800RE3，可控硅模块

IG非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
什么是IG？它的作用是什么？
IG(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

需指出的是：IG 参数表中标出的IC 是集电极zui大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先zui大结温不能超过150℃，其次还受安全工作区（SOA）的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的zui大电流不同。同时，各大厂商也给出了2 倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms 的单脉冲能通过的zui大通态电流值，即使可重复也需足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10μs 以内，英飞凌NPT-IG 短路电流承受能力可高达10 倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生，器件寿命周期内总次数不能大于1000 次，两次短路时间间隔需大于1s。但对于PT 型IG，这种短路总次数不能大于100 次，这是由于NPT-IG 过载能力、可靠性比PT 型高的原因。

IG可控硅，infineon英飞凌IG模块FF800RE3

若开关频率在10KHz－15KHz之间，请使用英飞凌后缀为“DN2"和“KT3"的IG模块，今后对于fk≤15KHz的应用场合，建议客户逐步用“KT3"取代“KE3"，“DLC"或“DN2"。
当开关频率fk≥15KHz时，开关损耗是主要的，通态损耗占的比例比较小。选择英飞凌短拖尾电流“KS4"高频系列。当然对于fk在15KHz－20KHz之间时，“DN2"系列
也是比较好的选择。英飞凌“KS4"高频系列，硬开关工作频率可达40KHz；若是软开关，可工作在150KHz左右。