技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPG20N06S2L-35 |
批号: | 2037+ |
封装: | TSDSON-8 |
数量: | 44000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TDSON-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 55 V |
Id-连续漏极电流: | 20 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 35 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.6 V |
Qg-栅极电荷: | 23 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 65 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Dual |
高度: | 1.27 mm |
长度: | 5.9 mm |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | 5.15 mm |
零件号别名: | IPG2N6S2L35XT SP000613718 IPG20N06S2L35ATMA1 |
单位重量: | 97.530 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。