产品简介
技术参数品牌：ON型号：MMBFJ177LT1G封装：SOT23批次：21+数量：15000类别：分立半导体产品晶体管-JFET制造商：onsemiFET类型：P通道电压-击穿(V(BR)GSS)：30V不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | MMBFJ177LT1G |
| 封装： | SOT23 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 15000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - JFET |
| 制造商： | onsemi |
| FET 类型： | P 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： | 30 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： | 1.5 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： | 800 mV @ 10 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 11pF @ 10V（VGS） |
| 电阻 - RDS(On)： | 300 Ohms |
| 功率 - 值： | 225 mW |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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