产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD18540Q5B批号:21+封装:QFN数量:20000QQ:对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD18540Q5B |
批号: | 21+ |
封装: | QFN |
数量: | 20000 |
QQ: | |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 含铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | NexFET™ |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 2.2 毫欧 @ 28A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 53nC @ 10V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 4230pF @ 30V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 3.1W(Ta),195W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
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