| 类别 | 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | OptiMOS? |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 产品状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），44A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值） | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） | 1700 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 2.5W（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-5 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | BSC100 |
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