技术参数
品牌: | ON |
型号: | NDF10N60ZG |
封装: | TO-220 |
批号: | 2023+ |
数量: | 12000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 650 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 47 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 36 W |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 7.9 S |
单位重量: | 2 g |
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