产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STP105N3LL封装:TO-220-3批号:2023+数量:20000制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:150ARdsOn-漏源导通电阻:4
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STP105N3LL |
封装: | TO-220-3 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 150 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 42 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 140 W |
系列: | STP105N3LL |
下降时间: | 23.4 ns |
上升时间: | 91 ns |
典型关闭延迟时间: | 24.5 ns |
典型接通延迟时间: | 19 ns |
单位重量: | 330 mg |
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