产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:IRFD024PBF封装:DIP批号:2023+数量:12000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:DIP-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | IRFD024PBF |
封装: | DIP |
批号: | 2023+ |
数量: | 12000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | DIP-4 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 2.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 100 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 25 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 1.3 W |
通道模式: | Enhancement |
系列: | IRFD |
配置: | Single |
下降时间: | 42 ns |
正向跨导 - 最小值: | 0.9 S |
上升时间: | 58 ns |
晶体管类型: | 25 ns |
典型关闭延迟时间: | 13 ns |
典型接通延迟时间: | 894.062 mg |
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