产品简介
技术参数品牌:INFINEON型号:IRLML6401TRPBF封装:SOT23批号:2023+数量:12000制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):4.3A(Ta)驱动电压(RdsOn
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技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IRLML6401TRPBF |
封装: | SOT23 |
批号: | 2023+ |
数量: | 12000 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | P 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.3A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 50 毫欧 @ 4.3A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 950mV @ 250µA |
Vgs(值): | ±8V |
功率耗散(值): | 1.3W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 15nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 830pF @ 10V |
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