产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI7658ADP-T1-GE3封装:QFN-8批号:2023+数量:12000类别:分立半导体产品单FET
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI7658ADP-T1-GE3 |
封装: | QFN-8 |
批号: | 2023+ |
数量: | 12000 |
类别: | 分立半导体产品 单 FET,MOSFET |
制造商: | Vishay Siliconix |
系列: | TrenchFET® |
Product Status: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 2.2 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 110 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 4590 pF @ 15 V |
功率耗散(值): | 5.4W(Ta),83W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
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