产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STR2N2VH5封装:SOT-23-3批号:2023+数量:20000类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STR2N2VH5 |
封装: | SOT-23-3 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | STMicroelectronics |
系列: | STripFET™ V |
Product Status: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A(Tj) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 30 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 700mV @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 4.6 nC @ 4.5 V |
Vgs(值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 367 pF @ 16 V |
功率耗散(值): | 350mW(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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