技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STS9P3LLH6 |
封装: | SOIC-8 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-8 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 9 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 12 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 24 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.7 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
系列: | STS9P3LLH6 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
下降时间: | 18 ns |
上升时间: | 93 ns |
典型关闭延迟时间: | 50 ns |
典型接通延迟时间: | 13.2 ns |
单位重量: | 506.600 mg |
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