产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STGP10NB60SD封装:TO-220-3批号:2023+数量:20000制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT晶体管RoHS:是封装/箱体:TO-220-3安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:600V栅极/发射极电压:20VPd-功率耗散:3
详情介绍
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技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGP10NB60SD |
封装: | TO-220-3 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
安装风格: | Through Hole |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 600 V |
栅极/发射极电压: | 20 V |
Pd-功率耗散: | 3.5 W |
最小工作温度: | - 65 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | STGP10NB60SD |
集电极连续电流 Ic: | 20 A |
高度: | 9.15 mm |
长度: | 10.4 mm |
宽度: | 4.6 mm |
单位重量: | 6 g |
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