技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STF34NM60ND |
封装: | TO-220-3 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 29 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 110 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 190 W |
配置: | Single |
系列: | STF34NM60ND |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
单位重量: | 330 mg |
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