技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGW60H65DRF |
封装: | TO-247 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | TO-247 |
安装风格: | SMD/SMT |
集电极—发射极电压 VCEO: | 650 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.9 V |
栅极/发射极电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 120 A |
Pd-功率耗散: | 360 W |
系列: | STGW60H65DRF |
栅极—射极漏泄电流: | 250 nA |
单位重量: | 6.500 g |
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