技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STH310N10F7-6 |
封装: | TO-263-7 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263-7 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 180 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 180 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 315 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 40 ns |
上升时间: | 108 ns |
系列: | STH310N10F7-6 |
晶体管类型: | 148 ns |
典型关闭延迟时间: | 62 ns |
典型接通延迟时间: | 1.600 g |
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