产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STT4P3LLH6封装:SOT-23-6批号:2023+数量:20000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STT4P3LLH6 |
封装: | SOT-23-6 |
批号: | 2023+ |
数量: | 20000 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | DeepGATE™,STripFET™ H6 |
FET 类型: | P 通道 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 56 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 6nC @ 4.5V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 639pF @ 25V |
功率耗散(值): | 1.6W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
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