产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:FQB5N90TM批号:2021+封装:数量:1200QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-263-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:900VId-连续漏极电流:5
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FQB5N90TM |
批号: | 2021+ |
封装: |
数量: | 1200 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 900 V |
Id-连续漏极电流: | 5.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.3 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3.13 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 4.83 mm |
长度: | 10.67 mm |
系列: | FQB5N90 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 9.65 mm |
正向跨导 - 最小值: | 5.6 S |
下降时间: | 50 ns |
上升时间: | 65 ns |
典型关闭延迟时间: | 65 ns |
典型接通延迟时间: | 28 ns |
零件号别名: | FQB5N90TM_NL |
单位重量: | 1.312 g |
- 上一篇: FOXCONN/富士康 BB7020E-T 2021+
- 下一篇: TI/德州仪器 全桥/半桥驱动器 DRV8432D
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。