技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SIS414DN-T1-GE3 |
批号: | 22+ |
数量: | 7805 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-1212-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 20 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 16 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 12 V, + 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 600 mV |
Qg-栅极电荷: | 22 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 31 W |
通道模式: | Enhancement |
系列: | SIS |
配置: | Single |
下降时间: | 10 ns |
正向跨导 - 最小值: | 50 S |
高度: | 1.04 mm |
长度: | 3.3 mm |
上升时间: | 54 ns |
晶体管类型: | 26 ns |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | 3.3 mm |
宽度: | SIS414DN-GE3 |
零件号别名: | 1 g |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。