产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD13381F4批号:22+数量:7805制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PICOSTAR-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:12VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD13381F4 |
批号: | 22+ |
数量: | 7805 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PICOSTAR-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 12 V |
Id-连续漏极电流: | 2.1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 180 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 650 mV |
Qg-栅极电荷: | 1060 pC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 500 mW (1/2 W) |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.35 mm |
长度: | 1 mm |
系列: | CSD13381F4 |
晶体管类型: | 1 N-Channel FemtoFET MOSFET |
宽度: | 0.64 mm |
下降时间: | 3.8 ns |
上升时间: | 1.5 ns |
典型关闭延迟时间: | 11 ns |
典型接通延迟时间: | 3.7 ns |
单位重量: | 0.400 mg |
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