产品简介
技术参数品牌：ON型号：2V7002WT1G批号：22+数量：7805制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SC-70-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：60VId-连续漏极电流：310mARdsOn-漏源导通电阻：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | 2V7002WT1G |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 7805 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-70-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 310 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.33 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 700 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 280 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | 2N7002W |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 530 mS |
| 下降时间： | 29 ns |
| 上升时间： | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 55.8 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12.2 ns |
| 单位重量： | 6.200 mg |
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