产品简介
技术参数品牌：ON/安森美型号：MMBZ12VALT1G批号：21+封装：NA数量：5000QQ：制造商：ONSemiconductor产品种类：ESD抑制器/TVS二极管RoHS：是极性：Unidirectional工作电压：8
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MMBZ12VALT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | NA |
| 数量： | 5000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
| RoHS： | 是 |
| 极性： | Unidirectional |
| 工作电压： | 8.5 V |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 端接类型： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 击穿电压： | 11.4 V |
| 钳位电压： | 17 V |
| 峰值脉冲功耗 (Pppm)： | 40 W |
| Vesd - 静电放电电压触点： | 30 kV |
| Vesd - 静电放电电压气隙： | - |
| Cd - 二极管电容 ： | - |
| Ipp - 峰值脉冲电流： | 2.35 A |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MMBZxxxALT1 |
| Vf - 正向电压： | 0.9 V |
| 单位重量： | 8.020 mg |
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