产品简介
技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD16340Q3封装:SON8批次:22+数量:66000制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSON-CLIP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:25VId-连续漏极电流:60ARdsOn-漏源导通电阻:4
详情介绍
技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | CSD16340Q3 |
封装: | SON8 |
批次: | 22+ |
数量: | 66000 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSON-CLIP-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 25 V |
Id-连续漏极电流: | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 8 V, + 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 600 mV |
Qg-栅极电荷: | 6.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1 mm |
长度: | 3.3 mm |
系列: | CSD16340Q3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel Power MOSFET |
宽度: | 3.3 mm |
下降时间: | 5.2 ns |
上升时间: | 16.1 ns |
典型关闭延迟时间: | 13.8 ns |
典型接通延迟时间: | 4.8 ns |
单位重量: | 44.400 mg |
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