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当前位置:筱晓(上海)光子技术有限公司>>半导体连续激光器>>VCSEL激光器>> APA8501010001850nm 偏振锁定单模VCSEL芯片激光器 输出功率0.9mW

850nm 偏振锁定单模VCSEL芯片激光器 输出功率0.9mW

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:APA8501010001
  • 品牌:
  • 产品类别:
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2024-12-14 19:29:35
  • 浏览次数:8
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筱晓(上海)光子技术有限公司

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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:3598条
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  • 联系人:筱晓光子-Daisy
产品简介

筱晓光子850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器总览我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范

详情介绍
 

筱晓光子 850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器




总览

我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射,具有对称的高斯光束轮廓,输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

 

 
 
通用参数

产品特点:

单横模和单纵模

偏振稳定发射

低功耗

高可靠性

高斯光束分布

背面阴和顶部阳配置

通过RoHS认证

 

产品应用:

激光鼠标

光学传感器应用

光电编码器

 

光电特性:

操作条件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

 

参数

符号

典型

单位

备注

阈值电流

ITH

1

3

5

mA

T = 25°C

斜率效率

η

0.20

0.40

0.65

mW/mA

T = 25°C, I = Ith+1mA

工作电流

IOP

2.3

 

6

mA

T = 25°C, Pop=0.55mW

工作电压

UOP

   

2.3

V

工作条件

微分电阻

Rd

20

 

90

Ω

T = 25°C,   Pop=0.55mW

SM光输出功率

PSM

0.9

   

mW

T = 25°C

边模抑制比

SMSR

10

   

dB

T = 25°C, Pop=0.9mW

偏振方向的精度

δpo

-15

 

+15

deg

T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

发射波长

λpeak

840

850

860

nm

工作条件

光束发散性

θFW1/e2

13

17

21

deg

T = 25°C, Pop=0.5mW

光功率随温度的变化

P(T) – Pop

-200

 

+120

µW

Iop, T=5...45°C

SM=单个模式;FW1/e2=全宽1/e2

 

大额定参数

参数

大值

单位

备注

连续工作电流

8

mA

3

连续反向电压

8

V

 

PCB焊料或回流温度

260

°C

多10

 

封装尺寸:芯片尺寸

参数

典型

备注

芯片宽度

135

155

175

µm

芯片长度

135

155

175

µm

芯片厚度

135

150

165

µm

 

 








总览

我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射,具有对称的高斯光束轮廓,输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

 

 
 
通用参数

产品特点:

单横模和单纵模

偏振稳定发射

低功耗

高可靠性

高斯光束分布

背面阴和顶部阳配置

通过RoHS认证

 

产品应用:

激光鼠标

光学传感器应用

光电编码器

 

光电特性:

操作条件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

 

参数

符号

典型

单位

备注

阈值电流

ITH

1

3

5

mA

T = 25°C

斜率效率

η

0.20

0.40

0.65

mW/mA

T = 25°C, I = Ith+1mA

工作电流

IOP

2.3

 

6

mA

T = 25°C, Pop=0.55mW

工作电压

UOP

   

2.3

V

工作条件

微分电阻

Rd

20

 

90

Ω

T = 25°C,   Pop=0.55mW

SM光输出功率

PSM

0.9

   

mW

T = 25°C

边模抑制比

SMSR

10

   

dB

T = 25°C, Pop=0.9mW

偏振方向的精度

δpo

-15

 

+15

deg

T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

发射波长

λpeak

840

850

860

nm

工作条件

光束发散性

θFW1/e2

13

17

21

deg

T = 25°C, Pop=0.5mW

光功率随温度的变化

P(T) – Pop

-200

 

+120

µW

Iop, T=5...45°C

SM=单个模式;FW1/e2=全宽1/e2

 

大额定参数

参数

大值

单位

备注

连续工作电流

8

mA

3

连续反向电压

8

V

 

PCB焊料或回流温度

260

°C

多10

 

封装尺寸:芯片尺寸

参数

典型

备注

芯片宽度

135

155

175

µm

芯片长度

135

155

175

µm

芯片厚度

135

150

165

µm

 

 

更新时间:2023/5/24 17:35:26

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