技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | RQ3E120ATTB |
批号: | 20+ |
封装: | HSMT8 |
数量: | 10000 |
QQ: | |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | HSMT-8 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 39 V |
Id-连续漏极电流: | 12 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 61 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 62 nC |
Pd-功率耗散: | 2 W |
配置: | Single |
高度: | 0.85 mm |
长度: | 3 mm |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 2.4 mm |
下降时间: | 95 ns |
上升时间: | 30 ns |
典型关闭延迟时间: | 140 ns |
典型接通延迟时间: | 20 ns |
零件号别名: | RQ3E120AT |
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