技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IRF100B201 |
批号: | |
封装: | TO-220-3 |
数量: | 1000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 192 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 170 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 441 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 15.65 mm |
长度: | 10 mm |
宽度: | 4.4 mm |
正向跨导 - 最小值: | 278 S |
下降时间: | 100 ns |
上升时间: | 97 ns |
典型关闭延迟时间: | 110 ns |
典型接通延迟时间: | 17 ns |
零件号别名: | SP001561498 |
单位重量: | 6 g |
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