技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | SPW17N80C3 |
批号: | |
封装: | TO-247 |
数量: | 1000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 800 V |
Id-连续漏极电流: | 17 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 290 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.1 V |
Qg-栅极电荷: | 88 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 227 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 21.1 mm |
长度: | 16.13 mm |
系列: | CoolMOS C3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5.21 mm |
下降时间: | 12 ns |
上升时间: | 15 ns |
典型关闭延迟时间: | 72 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
零件号别名: | SPW17N8C3XK SP000013369 SPW17N80C3FKSA1 |
单位重量: | 6 g |
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