* 砷化镓（GaAs）是目前重要且成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，砷化镓半导体材料是直接带隙结构，双能谷，晶体呈暗灰色，有金属光泽。

* 砷化镓中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3，用砷化镓制备的晶体管开关速度比硅的快3~4倍。砷化镓具有高迁移率，高饱合漂移速度。在弱电场状态下，电子迁移率约为8500cm2/(V*s)，比Si要大得多。

* 砷化镓还有一个重要的性能是半绝缘性，通过区域离子注入，其衬底内部仍然能保持电隔离，这种性质使其非常适合用作生产集成电路所用衬底的材料。另外半绝缘砷化镓材料制成的器件寄生电容很小，可用来制造一些快速器件，如单片微波集成电路等。

* 砷化镓材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作 MESFET、 HEMT 和 HBT 结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。半导体砷化镓材料主要应用于半导体激光器（LD）、半导体发光二极管（LED）、近红外激光器、量子阱大功率激光器和 太阳能电池。

*江阴皓睿光电新材料有限公司 致力于各种光学材料、半导体材料的加工业务，及相关设备、工艺、耗材的研发、销售。公司拥有完善的材料加工技术，涵盖材料切割、整形、磨抛、镀膜、激光等，产品广泛应用于光电、电子、光学、设备制造等领域。公司与各大院校、科研机构合作，提供各种应用材料，及的加工设备、工艺解决方案，助力各类科研项目的进展。