* 氮化镓（GaN）半导体禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

* 氮化镓基光电器件：氮化镓材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，氮化镓及其合金的带隙复盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。

* 氮化镓基电子器件：氮化镓材料具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。随着 MBE技术在氮化镓材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。

*江阴皓睿光电新材料有限公司 致力于各种光学材料、半导体材料的加工业务，及相关设备、工艺、耗材的研发、销售。公司拥有完善的材料加工技术，涵盖材料切割、整形、磨抛、镀膜、激光等，产品广泛应用于光电、电子、光学、设备制造等领域。公司与各大院校、科研机构合作，提供各种应用材料，及的加工设备、工艺解决方案，助力各类科研项目的进展。