技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STW45N65M5 |
封装: | TO-247-3 |
数量: | 10000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 35 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 78 mOhms |
Pd-功率耗散: | 208 W |
系列: | STW45N65M5 |
单位重量: | 38 g |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。