技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD25483F4 |
| 封装： | PICOSTAR-3 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 27000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 类型： | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20 V |
| Vgs（值）： | -12V |
| 功率耗散（值）： | 500mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
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技术参数品牌：TI型号：CSD25483F4封装：PICOSTAR-3批号：22+数量：27000类别：分立半导体产品晶体管-FET
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD25483F4 |
| 封装： | PICOSTAR-3 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 27000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 类型： | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20 V |
| Vgs（值）： | -12V |
| 功率耗散（值）： | 500mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
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