技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STF13N65M2 |
| 封装： | SO-16 |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | MDmesh™ M2 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 650 V |
| Vgs（值）： | ±25V |
| 功率耗散（值）： | 25W（Tc） |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
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技术参数品牌：ST/意法半导体型号：STF13N65M2封装：SO-16数量：10000类别：分立半导体产品晶体管-FET
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STF13N65M2 |
| 封装： | SO-16 |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | MDmesh™ M2 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 650 V |
| Vgs（值）： | ±25V |
| 功率耗散（值）： | 25W（Tc） |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
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