技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD18N55M5 |
| 封装： | TO-252-3 |
| 数量： | 10016 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 550 V |
| Id-连续漏极电流： | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 240 mOhms |
| Pd-功率耗散： | 90 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD18N55M5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 单位重量： | 4 g |
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