技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STN1HNK60 |
| 封装： | SOT-223-3 |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | SuperMESH™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 功率耗散（值）： | （Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
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技术参数品牌：ST/意法半导体型号：STN1HNK60封装：SOT-223-3数量：10000类别：分立半导体产品晶体管-FET
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STN1HNK60 |
| 封装： | SOT-223-3 |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | SuperMESH™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 功率耗散（值）： | （Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
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