产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD17308Q3批号:ZCESX4J封装:SON8数量:40QQ:制造商:TexasInstruments系列:NexFET™FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta)
详情介绍
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD17308Q3 |
批号: | ZCESX4J |
封装: | SON8 |
数量: | 40 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
系列: | NexFET™ |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A(Ta),44A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 3V,8V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 毫欧 @ 10A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
Vgs(值): | +10V,-8V |
功率耗散(值): | (Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | nC @ V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 700 pF @ 15 V |
- 上一篇: TI RF其它IC和模块 CC1100ERTKR IC RF
- 下一篇: GIANTEC GT24C64-2UDLI-TR UDFN8 1209
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。