产品简介
技术参数品牌:TOSHIBA型号:TK31N60W,S1VF批号:1521封装:TO247数量:101QQ:制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-247-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:30
详情介绍
技术参数
品牌: | TOSHIBA |
型号: | TK31N60W,S1VF |
批号: | 1521 |
封装: | TO247 |
数量: | 101 |
QQ: | |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 73 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 86 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 230 W |
配置: | Single |
商标名: | DTMOSIV |
封装: | Tube |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | TK31N60W |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
商标: | Toshiba |
下降时间: | ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 32 ns |
工厂包装数量: | 30 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 165 ns |
典型接通延迟时间: | 70 ns |
单位重量: | 38 g |
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